1.内存条的诞生
当CPU在工作时,需要从硬盘等外部存储器上读取数据,但由于硬盘这个“仓库”太大,加上离CPU也很“远”,运输“原料”数据的速度就比较慢,导致CPU的生产效率大打折扣!为了解决这个问题,人们便在CPU与外部存储器之间,建了一个“小仓库”—内存。
内存虽然容量不大,一般只有几十MB到几百MB,但中转速度非常快,如此一来,当CPU需要数据时,事先可以将部分数据存放在内存中,以解CPU的燃眉之急。由于内存只是一个“中转仓库”,因此它并不能用来长时间存储数据。内存又叫随机存储器断电之后数据全部丢失。而硬盘则不会。
2.常见的内存条,
目前PC中所用的内存主要有SDRAM、DDR SDRAM、RDRAM等三种类型。
曾经主流—SDRAMB`<*SDRAM(Synchronous DRAM)即“同步动态随机存储器”。SDRAM内存条的两面都有金手指,是直接插在内存条插槽中的,因此这种结构也叫“双列直插式”,英文名叫“DIMM”。目前绝大部分内存条都采用这种“DIMM”结构。
随着处理器前端总线的不断提高,SDRAM已经无法满足新型处理器的需要了,早已退出了主流市场。
今日主流—DDR SDRAM),(简称DDR)是采用了DDR(Double Data Rate SDRAM,双倍数据速度)技术的SDRAM,与普通SDRAM相比,在同一时钟周期内,DDRSDRAM能传输两次数据,而SDRAM只能传输一次数据。从外形上看DDR内存条与SDRAM相比差别并不大,它们具有同样的长度与同样的引脚距离。只不过DDR内存条有184个引脚,金手指中也只有一个缺口,而SDRAM内存条是168个引脚,并且有两个缺口。
根据DDR内存条的工作频率,它又分为DDR200、DDR266、DDR333、DDR400等多种类型:与SDRAM一样,DDR也是与系统总线频率同步的,不过因为双倍数据传输,因此工作在133MHz频率下的DDR相当于266MHz的SDRAM,于是便用DDR266来表示。小提示:工作频率表示内存所能稳定运行的最大频率,例如PC133标准的SDRAM的工作频率为133MHz,而DDR266 DDR的工作频率为266MHz。对于内存而言,频率越高,其带宽越大。除了用工作频率来标示DDR内存条之外,有时也用带宽值来标示,例如DDR 266的内存带宽为2100MB/s,所以又用PC2100来标示它,于是DDR333就是PC2700,DDR400就是PC3200了。小提示:内存带宽也叫“数据传输率”,是指单位时间内通过内存的数据量,通常以GB/s表示。我们用一个简短的公式来说明内存带宽的计算方法:内存带宽=工作频率×位宽/8×n(时钟脉冲上下沿传输系数,DDR的系数为2)。由于DDR内存条价格低廉,性能出色,因此成为今日主流的内存产品。
过时的贵族—RDRAM'8 RDRAM(存储器总线式动态随机存储器)是Rambus公司开发的一种新型DRAM。RDRAM虽然位宽比SDRAM及DDR的64bit窄,但其时钟频率要高得多。从外观上来看,RDRAM内存条与SDRAM、DDR SDRAM内存条有点相似。从技术上来看,RDRAM是一种比较先进的内存,但由于价格高,在市场上普及不是很实际。如今的RDRAM已经退出了普通台式机市场。
3.内存的封装
目前内存的封装方式主要有TSOP、BGA、CSP等三种,封装方式也影响着内存条的性能优劣。
TSOP封装:TOSP(Thin Small Outline Package,薄型小尺寸封装)的一个典型特点就是在封装芯片的周围做出很多引脚。TSOP封装操作方便,可靠性比较高,是目前的主流封装方式。
BGA封装:BGA叫做“球栅阵列封装”,其最大的特点就是芯片的引脚数目增多了,组装成品率提高了。采用BGA封装可以使内存在体积不变的情况下将内存容量提高两到三倍,与TSOP相比,它具有更小的体积、更好的散热性能和电性能。
CSP封装:CSP(Chip Scale Package,芯片级封装)作为新一代封装方式,其性能又有了很大的提高。CSP封装不但体积小,同时也更薄,更能提高内存芯片长时间运行的可靠性,芯片速度也随之得到大幅度的提高。目前该封装方式主要用于高频DDR内存。
1.时钟周期(TCK)
TCK是“Clock Cycle Time”的缩写,即内存时钟周期。它代表了内存可以运行的最大工作频率,数字越小说明内存所能运行的频率就越高。时钟周期与内存的工作频率是成倒数的,即TCK=1/F。比如一块标有“-10”字样的内存芯片,“-10”表示它的运行时钟周期为10ns,即可以在100MHz的频率下正常工作。
2.存取时间(TAC)
TAC(Access Time From CLK)表示“存取时间”。与时钟周期不同,TAC仅仅代表访问数据所需要的时间。如一块标有“-7J”字样的内存芯片说明该内存条的存取时间是7ns。存取时间越短,则该内存条的性能越好,比如说两根内存条都工作在133MHz下,其中一根的存取时间为6ns,另外一根是7ns,则前者的速度要好于后者。
3.CAS延迟时间(CL)
CL(CAS Latency)是内存性能的一个重要指标,它是内存纵向地址脉冲的反应时间。当电脑需要向内存读取数据时,在实际读取之前一般都有一个“缓冲期”,而“缓冲期”的时间长度,就是这个CL了。内存的CL值越低越好,因此,缩短CAS的周期有助于加快内存在同一频率下的工作速度
4.奇偶校验(ECC)
内存是一种数据中转“仓库”,而在频繁的中转过程中,一旦搞错了数据怎么办?而ECC就是一种数据检验机制。ECC不仅能够判断数据的正确性,还能纠正大多数错误。普通PC中一般不用这种内存,它们一般应用在高端的服务器电脑中。oK9pld
目前市场上主流的内存有SDRAM和DDR SDRAM,内存条品牌主要有胜创,金士顿、三星、宇瞻、富豪、现代等等。
1. 内存的单面与双面,单Bank与双Bank的区别?
单面内存与双面内存的区别在于单面内存的内存芯片都在同一面上,而双面内存的内存芯片分布在两面。而单Bank与双Bank的区别就不同了。Bank从物理上理解为北桥芯片到内存的通道,通常每个通道为64bit。一块主板的性能优劣主要取决于它的芯片组。不同的芯片组所支持的Bank是不同的。如Intel 82845系列芯片组支持4个Bank,而SiS的645系列芯片组则能支持6个Bank。如果主板只支持4个Bank,而我们却用6个Bank的话,那多余的2个Bank就白白地浪费了。双面不一定是双Bank,也有可能是单Bank,这一点要注意。
2. 内存的2-2-3通常是什么意思?
这些电脑硬件文章经常出现的参数就是在主板的BIOS里面关于内存参数的设置了。通常说的2-2-3按顺序说的是tRP(Time of Row Precharge),tRCD(Time of RAS to CAS Delay)和CL(CAS Latency)。tRP为RAS预充电时间,数值越小越好;tRCD是RAS到CAS的延迟,数值越小越好;CL(CAS Latency)为CAS的延迟时间,这是纵向地址脉冲的反应时间,也是在一定频率下衡量支持不同规范的内存的重要标志之一。
3.内存的双通道技术和单通道有什么不同?
什么是双通道DDR技术呢?需要说明的是,它并非我前面提到的D D R I I,而是一种可以让2条D D R内存共同使用,数据并行传输的技术。双通道DDR技术的优势在于,它可以让内存带宽在原来的基础上增加一倍,这对于P 4处理器的好处可谓不言而喻。400M H z 前端总线的P 4 A处理器和主板传输数据的带宽为3.2G B /s,而533 M Hz 前端总线的P4B处理器更是达到了4.3G B/s,而P4C处理器更是达到了800MHZ 前端总线从而需要6. 4 G的内存带宽。但是目前除了I850E支持的R ambus P C10 66规范外,根本没有内存可以满足处理器的需要,我们最常用的DDR333本身仅具有2.7G B/s的带宽。DDR400也只能提供3.2G /s的带宽。也就是说,如果我们搭建双通道DDR400的内存,理论上提供2倍DDR400的带宽。将从而根本的解决了CPU和内存之间的瓶颈问题。
4.DDR-II和现在的DDR内存有什么不同?
DDR-II内存是相对于现在主流的DDR-I内存而言的,它们的工作时钟预计将为400MHz或更高。主流内存市场将从现在的DDR-400产品直接过渡到DDR-II。目前DDR-II内存将采用0.13微米工艺,将来会过度到90纳米,工作频率也会超过800MHZ。
DDR-3
DDR3显存可以看作是DDR2的改进版,二者有很多相同之处,例如采用1.8V标准电压、主要采用144Pin球形针脚的FBGA封装方式。不过DDR3核心有所改进:DDR3显存采用0.11微米生产工艺,耗电量较DDR2明显降低。此外,DDR3显存采用了“Pseudo Open Drain”接口技术,只要电压合适,显示芯片可直接支持DDR3显存。当然,显存颗粒较长的延迟时间(CAS latency)一直是高频率显存的一大通病,DDR3也不例外,DDR3的CAS latency为5/6/7/8,相比之下DDR2为3/4/5。客观地说,DDR3相对于DDR2在技术上并无突飞猛进的进步,但DDR3的性能优势仍比较明显:
(1)功耗和发热量较小:吸取了DDR2的教训,在控制成本的基础上减小了能耗和发热量,使得DDR3更易于被用户和厂家接受。
(2)工作频率更高:由于能耗降低,DDR3可实现更高的工作频率,在一定程度弥补了延迟时间较长的缺点,同时还可作为显卡的卖点之一,这在搭配DDR3显存的显卡上已有所表现。
(3)降低显卡整体成本:DDR2显存颗粒规格多为4M X 32bit,搭配中高端显卡常用的128MB显存便需8颗。而DDR3显存规格多为8M X 32bit,单颗颗粒容量较大,4颗即可构成128MB显存。如此一来,显卡PCB面积可减小,成本得以有效控制,此外,颗粒数减少后,显存功耗也能进一步降低。
(4)通用性好:相对于DDR变更到DDR2,DDR3对DDR2的兼容性更好。由于针脚、封装等关键特性不变,搭配DDR2的显示核心和公版设计的显卡稍加修改便能采用DDR3显存,这对厂商降低成本大有好处。
目前,DDR3显存在新出的大多数中高端显卡上得到了广泛的应用。
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